Основные производители модулей памяти, Samsung Electronics и Micron Technology, создают консорциум, который будет развивать новый, «кубический,» тип памяти — Hybrid Memory Cube.
Впервые новый тип памяти был продемонстрирован на IDF 2011 в начале сентября. Его отличительной особенностью является расположение всех микросхем не в линию, как мы привыкли видеть на планках ОЗУ, а в виде «штабелей» — один над другим. Чипы соединены между собой методом металлизации сквозных отверстий (TSVs). Кроме того, в состав модуль памяти теперь включен контроллер памяти, что, собственно, и позволяет называть ее «гибридной».
По словам представителей Micron Technolohy, применение новой, «кубической», конструкции модулей позволит увеличить пропускную способность DDR3 в 15 раз, то есть до 1 Тбит/с. При этом, энергопотребление должно уменьшиться приблизительно на 70%. И,разумеется, сократиться занимаемая модулем памяти площадь на поверхности материнской платы — почти на 90%.
В свете приведенных выше достоинств «кубического» типа памяти создание консорциума по его продвижение (Hybrid Memory Cube Consortium) выглядит логичным и очень правильным решением. Как заметил Роберт Ферль (Robert Feurle), вице-президент Micron по маркетингу ОЗУ: «Hybrid Memory Cube не похожа ни на какую-либо другую современную технологию. Она выводит ОЗУ на совершенно иной уровень возможностей, позволяя существенно увеличить производительность и эффективность, что делает Hybrid Memory Cube — памятью будущего. Создание индустриального консорциума будет способствовать более быстрому продвижению новой технологии, что, как мы полагаем, должно привести к радикальному улучшению работы вычислительных систем».
Помимо Micron и Samsung в новой организации в различных формах уже приняли участие три крупных чипмейкера: Altera Corporation, Open Silicon и Xilinx. Между тем, «двери» консорциума открыты для всех желаемых, и вполне вероятно, что в скором будущем его членами станут многие гранды электроники.
